μ-CHAMBER 超高真空磁屏蔽腔体
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- μ - CHAMBER是采用纯μ金属或不锈钢腔体和双(单)层μ金属内衬制作而成的超高真空腔体。
- 在满足超高真空要求的同时，可将腔体中心的残余磁场屏蔽至最优1mGauss以下。
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产品详细
具体参数
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磁屏蔽结构纯μ金属 或 316L不锈钢腔体+μ金属内衬
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残余磁场典型值≤ 5 mGauss；最优值≤ 1 mGauss
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腔体结构标准型或定制
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漏率≤ 1×10^-10 mbar*L /s
